Директор НИИ сильноточной электроники возглавил научный центр СО РАН в Томске

15 мая 2012 года

Глава томского НИИ сильноточной электроники Николай Ратахин избран председателем президиума Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук (ТНЦ СО РАН), сообщил и.о. заместителя губернатора Томской области по научно-технической и инновационной политике и образованию Алексей Пушкаренко.

"Это опытный человек, он возглавляет один из становых институтов в Академии наук, умеет хорошо зарабатывать хоздоговорные деньги. Это один из двух институтов, который нарастил объемы финансирования в прошлом году именно из внебюджетных источников. Ратахин - признанный в своих кругах высококлассный специалист, он единогласно был избран и в ТНЦ, и в СО РАН, очень уважаемый человек", - сказал Пушкаренко.

По его словам, предыдущий руководитель ТНЦ СО РАН Сергей Псахье в мае приступил к своим обязанностям в должности заместителя председателя СО РАН по инновационной деятельности и развитию научно-образовательных комплексов в научных центрах.

Ратахин - доктор физико-математических наук, член-корреспондент РАН, с 2006 года руководит в Томске научно-исследовательским институтом сильноточной электроники (ИСЭ СО РАН).

Томский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук создан в 1978 году. В настоящее время в его состав входят пять академических институтов и ряд научных и вспомогательных подразделений. Общая численность сотрудников учреждений научного центра составляет почти 2 тысячи человек, в том числе 703 научных работника, из них два академика РАН, четыре члена-корреспондента РАН, 134 доктора наук.